作业帮晶体管的输入特性曲线为什么Uce=0.5 比 Uce=0的导通电压要大?
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/04/29 04:05:29
晶体管的输入特性曲线为什么Uce=0.5 比 Uce=0的导通电压要大?
晶体管的输入特性曲线
为什么Uce=0.5 比 Uce=0的导通电压要大?
晶体管的输入特性曲线为什么Uce=0.5 比 Uce=0的导通电压要大?
这个很容易理解,为了从本质揭示道理,从基本原理说起,首先楼主知道两个常识：
1,三极管导通后,有一放大效应,集电极电流Ic=β*Ib,这个本质原因就是发射极参杂了大量的多子,也就是自由电子,在适当的外界电压条件下,造成的多子的自由扩散,形成的电流.
2,二极管正向导通,反向截止,导通电压一般为硅管是0.7v左右,这个是怎么形成的,比较简单,施加正向电压后,多子在电压作用下,强行试图越过PN结,与PN结处的正负电子相互中和,使得PN结变薄,但是不会消失,正因为如此,需要一个稳定的导通电压.此时扩散电流明显超越漂移电流,内阻显示很小,导通了.
下面回到三极管,NPN三极管导通后,电流流动如上图所示：
【三极管的导通和工作机理】：1,0<VBB<VCC,这保证了发射结正偏,集电结反偏.2,发射极参杂大量电子,3,基区做的非常的薄.容易被穿越.
发射结正偏,集电结反偏,通俗说就是发射极e连接VBB的负极,负极意味着大量负电子,同性排斥,那么发射极e的电子被强迫推动试图翻过基区（图中浅黄色p区）,进入基区后,电子要决定到哪里去?VBB的正极和VCC的正极都在吸引着这一批进入基区的电子,因为VBB<VCC,那么VCC的吸引力更强,于是电子热情的跨过基区,进入了集电极,流经Rb,被吸引到VCC的正极,形成了大规模的IC电流.当然会有一部分电子被VBB的正极吸引去,这就是基极电流Ib,
Ic=β*Ib,β=20~200.这就是三极管放大的秘密.
当然由于VCC的正极对着集电极,集电极的少子,也就是空穴,正正排斥,被迫向下流动,进行漂移运动而形成反向饱和电流,用ICBO表示,这个很少,可以忽略.
【为什么为什么Uce=0.5 比 Uce=0的导通电压要大?】
1, 当uCE=0V时,相当于发射结的正向伏安特性曲线,这个时候,只需要加入0.7v的Ube就能导通了,相当于一个二极管的导通Uce=0.5
2,当Uce=0.5v,这个时候,电子进入基区后,要选择Vcc还是Vbb的正极去,当然此时,Vcc=0.5,Vbb=0.7.Vbb的吸引作用更强,但是Vcc仍然分流了一部分电子,内在表现等效为PN结的内阻增大,PN结变厚,扩散作用受到阻碍,于是就必须增大Ube把被Vcc抢去的电子抢回来.
3,当Uce=1v, 如果还是保持Ube=Vbb=0.7v,那么uCB= uCE- uBE>0,集电结已进入反偏状态,开始大量收集电子,必须要增大Ube,把被Vcc抢去的电子抢回来,表现为,大量的电子经过Rc流向Vbb,这个过程被成为复合过程.
回答的啰嗦些,但是全面回顾了三极管和二极管的工作原理,楼主细细读,应该会加深理解的!
一言一句,全部手敲,