半导体禁带中的束缚能级是怎么形成的?试举例说明.

半导体禁带中的束缚能级是怎么形成的?试举例说明. 关于半导体物理中的能级问题.我在某书看到半导体掺杂能级图如下.如果Ec是本征材料(比如Si)的导带能级、Ev是Si的价带能级那如果P掺杂材料为B(通常都掺杂B),B的本征能级应该比Ev低才对?为什 半导体的费米能级 n型半导体中的空穴是怎么形成的还有为什么自由电子比空穴多 导体、绝缘体、半导体的能级结构有何不同也就是它们的导带、价带和禁带的差别在哪里? 束缚带怎么穿 半导体杂质能级为什么最多只能束缚一个电子如题 为什么硅原子中原子能级就3个,其中各能级又包括很多简并能级,形成能带,最外层能带为价带,导带的那个能级在哪?是在原子3个能级外面的一个新的第四个能级,还是在原子最外层的一个能带 什么是半导体的表面态和表面能级?形成表面态的原因有哪些?表面态及表面能级对半导体的导电性能有哪些影响? 半导体中自由电子与空穴的能级是否一致?不一致的话,他们能否复合?金属中的电子的能级是连续的,那么是不是金属中的电子都能与半导体中的空穴复合?我的说法可能有问题。也许应该叫做 浅能级杂质在半导体中的作用是什么? 费米能级指被电子占据几率为1/2的能级,其处于价带和导带之间.可中间不是禁带吗,怎么会有电子占据啊?前提条件：在半导体物理中,处于本征或低掺杂情况.费米能级到底怎么理解啊,感觉逻辑 晶体管的PN结是如何形成的初学模拟电路,P型半导体中的空穴是多数载流子,N型半导体中的电子是多数载流子电子从N向P运动,空穴相反,N失去电子带正电,P失去空穴带负电,我对为什么在“PN相接 求半导体物理中的杂质电离问题n型硅半导体材料,已知施主掺杂浓度为Nd,杂质能级Ed位于导带底下-0.045ev处,在温度T=300K时导带底电子有效状态密度Nc已知,计算能使杂质全部电离的最低温度是多 半导体中,为什么能带中的能级上可以容纳两个自旋相反的电子,而杂质能级上只能允许一个任意自旋方向电子 费米能级在半导体导电性能描述中的作用,它的变化情况和温度,掺杂等的关系又如何?半导体方面的思考题, 潮湿的木头是导体还是半导体?是哪种?什么东西是半导体啊?举些例子. 化学电子的能级是怎么一回事?